皇冠正网会员开户（www.hg108.vip）_国产芯片欲弯道超车：曝长江存储跳过192层闪存 直接切入232层

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2016年成立的长江存储，于2017年通过自主研发和国际‘ji’合作的方式，设计制造了首款3D NAND闪存。2019年，长江存{cun}储晶栈 Xtacking架构的第二代3D TLC闪存量产，2020年，第三代TLC/QLC研发（fa）成功，推进到128层3D堆叠。

在闪存领域，通常将堆叠层数“shu”视作技术先「xian」进程度的指标。

DT报道称，业内人士给出消息称，长江存储计划“hua”跳过192层，直接切入232层闪存生产。

这是什么（me）概念？

根据此前韩国研究机（ji）构OERI的一份报告，其表示中韩闪存技术差距目前已经缩短至两年，理由是三星和SK海力士明〖ming〗年初会量产『chan』超200层闪存《cun》，长江存储则要到2024年，现在来看，它们低估了长{chang}江存储的“de”技术储《chu》备。

另外，此前传出长江存储有望打入苹果供〖gong〗应链，为iPhone等产〖chan〗品供〖gong〗货闪存的说法，倘若最「zui」终实现，那「na」么「me」无疑将有着打“da”破产{chan}业格局的‘de’动能。

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话题标签：闪存长江存“cun”储芯片